База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Диоды

31.080.10. Диоды

← 1 2 3 4 5 →

• ГОСТ 19656.10-88.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь
  Название (англ): Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
  1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов;
  2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов:
  а) метод измерительной линии с подвижным зондом;
  б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;
  в) резонаторный метод
  
• ГОСТ 19656.12-76.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления
  Название (англ): Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления
  
• ГОСТ 19656.13-76.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности
  Название (англ): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный
  
• ГОСТ 19656.14-79.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
  Название (англ): Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты
  
• ГОСТ 19656.15-84.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления
  Название (англ): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений
  
• ГОСТ 19656.16-86.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
  Название (англ): Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме
  
• ГОСТ 19834.4-79.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
  Название (англ): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
  
• ГОСТ 19834.5-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
  Название (англ): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  
• ГОСТ 20215-84.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
  Название (англ): Semiconductor microwave diodes. General specifications
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
  Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды
  
• ГОСТ 23448-79.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
  Название (англ): Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов
  

← 1 2 3 4 5 →