База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Транзисторы

31.080.30. Транзисторы

1 2 3 4 5 →

• ГОСТ 14949-69.

  отменён

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения
  Название (англ): Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices
  Назначение:
  
• ГОСТ 15172-70.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров
  Название (англ): Transistors. List of basic and reference electrical parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров
  
• ГОСТ 16947-71.

  отменён

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения
  Название (англ): Transistors type Гt701a for wide using equipment
  Назначение:
  
• ГОСТ 17466-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
  Название (англ): Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров
  
• ГОСТ 18604.0-83.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
  Название (англ): Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
  
• ГОСТ 18604.1-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  Название (англ): Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  
• ГОСТ 18604.2-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
  Название (англ): Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
  
• ГОСТ 18604.3-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
  Название (англ): Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
  с использованием резистивно-емкостного делителя;
  с использованием моста.
  Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
  Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности
  
• ГОСТ 18604.4-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора
  Название (англ): Transistors. Method for measuring collector reverse current
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА
  
• ГОСТ 18604.5-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера
  Название (англ): Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА
  

1 2 3 4 5 →