База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045Транзисторы

31.080.30. Транзисторы

1 2 3 4 5

  • ГОСТ 20398.1-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи
    Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  • ГОСТ 20398.2-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума
    Field-effect transistors. Noise figure measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума
  • ГОСТ 20398.3-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
    Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  • ГОСТ 20398.4-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
    Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  • ГОСТ 20398.5-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
    Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  • ГОСТ 20398.6-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора
    Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора
  • ГОСТ 20398.7-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
    Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки
  • ГОСТ 20398.8-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
    Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока
  • ГОСТ 20398.9-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
    Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме
  • ГОСТ 20398.10-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
    Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме

1 2 3 4 5



Популярные услуги

Все документы

Бесплатная консультация

Наши сотрудники всегда предоставят Вам бесплатную консультацию и будут рады взять на себя обязанности по оформлению нужного Вам сертификационного документа.

Светлана

Ксения

Задать вопрос специалисту

Все вопросы

Оставить заявку

Точные сроки, цену и условия можно узнать отправив заявку. Пожалуйста, заполните форму