База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА

31. ЭЛЕКТРОНИКА

← 1 2 3 4 5 … 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 … 79 80 81 82 83 →

• ГОСТ 19798-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Фотоэлементы. Общие технические условия
  Название (англ): Photocells. General specifications
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные фотоэлементы и фотоумножители, содержащие один каскад усиления, предназначенные для преобразования сигналов оптического излучения в электрические и изготавливаемые для нужд народного хозяйства и для экспорта
  
• ГОСТ 19799-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик
  Название (англ): Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители
  
• ГОСТ 19834.0-75.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
  Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
  
• ГОСТ 19834.2-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
  Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
  метод замещения;
  методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
  
• ГОСТ 19834.3-76.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
  Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
  
• ГОСТ 19834.4-79.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
  Название (англ): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
  
• ГОСТ 19834.5-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
  Название (англ): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  
• ГОСТ 20003-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
  Название (англ): Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
  Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
  Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
  
• ГОСТ 20186-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры
  Название (англ): Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметров
  
• ГОСТ 20215-84.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
  Название (англ): Semiconductor microwave diodes. General specifications
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
  Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды
  

← 1 2 3 4 5 … 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 … 79 80 81 82 83 →