Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора
Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки
Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
Наши сотрудники всегда предоставят Вам бесплатную консультацию и будут рады взять на себя обязанности по оформлению нужного Вам сертификационного документа.