База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

  • ГОСТ 17466-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
    Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров
  • ГОСТ 17704-72.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений
    Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations
    Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления
  • ГОСТ 17772-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
    Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics
    Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм.
    Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений.
    Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
  • ГОСТ 18472-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые. Основные размеры
    Semiconductor devices. Basic dimensions
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры.
    Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы
  • ГОСТ 18577-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения
    Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств.
    Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
  • ГОСТ 18604.0-83.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
    Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
  • ГОСТ 18604.1-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
    Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  • ГОСТ 18604.2-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
    Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
  • ГОСТ 18604.3-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
    Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
    с использованием резистивно-емкостного делителя;
    с использованием моста.
    Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
    Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности
  • ГОСТ 18604.4-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора
    Transistors. Method for measuring collector reverse current
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14



Популярные услуги

Все документы

Бесплатная консультация

Наши сотрудники всегда предоставят Вам бесплатную консультацию и будут рады взять на себя обязанности по оформлению нужного Вам сертификационного документа.

Светлана

Ксения

Задать вопрос специалисту

Все вопросы

Оставить заявку

Точные сроки, цену и условия можно узнать отправив заявку. Пожалуйста, заполните форму