База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

  • ГОСТ 18604.16-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
    Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals
    Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
  • ГОСТ 18604.19-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения
    Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения
  • ГОСТ 18604.20-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте
    Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума:
    сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц;
    способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц
  • ГОСТ 18604.22-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
    Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах
  • ГОСТ 18604.23-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
    Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков
  • ГОСТ 18604.24-81.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
    Transistors bipolar high-frequency. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением (усилителя)
  • ГОСТ 18604.26-85.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
    Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения
  • ГОСТ 18604.27-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
    Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
  • ГОСТ 18986.0-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
    Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
  • ГОСТ 18986.1-73.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
    Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока.
    Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14



Популярные услуги

Все документы

Бесплатная консультация

Наши сотрудники всегда предоставят Вам бесплатную консультацию и будут рады взять на себя обязанности по оформлению нужного Вам сертификационного документа.

Светлана

Ксения

Задать вопрос специалисту

Все вопросы

Оставить заявку

Точные сроки, цену и условия можно узнать отправив заявку. Пожалуйста, заполните форму