База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

  • ГОСТ 19656.10-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь
    Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
    1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов;
    2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов:
    а) метод измерительной линии с подвижным зондом;
    б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;
    в) резонаторный метод
  • ГОСТ 19656.12-76.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления
    Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance
    Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления
  • ГОСТ 19656.13-76.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности
    Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный
  • ГОСТ 19656.14-79.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
    Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency
    Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты
  • ГОСТ 19656.15-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления
    Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений
  • ГОСТ 19656.16-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
    Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме
  • ГОСТ 19834.0-75.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
  • ГОСТ 19834.2-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
    метод замещения;
    методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
  • ГОСТ 19834.3-76.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
    Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
  • ГОСТ 19834.4-79.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
    Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14



Популярные услуги

Все документы

Бесплатная консультация

Наши сотрудники всегда предоставят Вам бесплатную консультацию и будут рады взять на себя обязанности по оформлению нужного Вам сертификационного документа.

Светлана

Ксения

Задать вопрос специалисту

Все вопросы

Оставить заявку

Точные сроки, цену и условия можно узнать отправив заявку. Пожалуйста, заполните форму