База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →

• ГОСТ 18604.16-78.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
  Название (англ): Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
  
• ГОСТ 18604.19-88.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения
  Название (англ): Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения
  
• ГОСТ 18604.20-78.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте
  Название (англ): Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума:
  сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц;
  способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц
  
• ГОСТ 18604.22-78.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
  Название (англ): Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах
  
• ГОСТ 18604.23-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
  Название (англ): Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков
  
• ГОСТ 18604.24-81.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
  Название (англ): Transistors bipolar high-frequency. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением (усилителя)
  
• ГОСТ 18604.26-85.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
  Название (англ): Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения
  
• ГОСТ 18604.27-86.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
  Название (англ): Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
  
• ГОСТ 18986.0-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
  Название (англ): Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
  
• ГОСТ 18986.1-73.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
  Название (англ): Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока.
  Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки
  

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →