База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →

• ГОСТ 19834.5-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
  Название (англ): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  
• ГОСТ 20003-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
  Название (англ): Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
  Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
  Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
  
• ГОСТ 20215-84.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
  Название (англ): Semiconductor microwave diodes. General specifications
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
  Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды
  
• ГОСТ 20332-84.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
  Название (англ): Thyristors. Terms, definitions and letter symbols
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров.
  Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
  
• ГОСТ 20398.0-83.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров
  Название (англ): Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов
  
• ГОСТ 20398.1-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи
  Название (англ): Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  
• ГОСТ 20398.2-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума
  Название (англ): Field-effect transistors. Noise figure measurement technique
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума
  
• ГОСТ 20398.3-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
  Название (англ): Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  
• ГОСТ 20398.4-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
  Название (англ): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  
• ГОСТ 20398.5-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
  Название (англ): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
  

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →