Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора
Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки
Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования Power semiconductor devices. General technical requirements Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Наши сотрудники всегда предоставят Вам бесплатную консультацию и будут рады взять на себя обязанности по оформлению нужного Вам сертификационного документа.