База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →

• ГОСТ 27264-87.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
  Название (англ): Power bipolar transistors. Measurement methods
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров
  
• ГОСТ 27299-87.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
  Название (англ): Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
  Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности
  
• ГОСТ 27591-88.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
  Название (англ): Power semiconductor modules. Orerall and mounting dimensions
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули на средние или действующие значения токов 10 А и более, предназначенные для использования в статических преобразователях электроэнергии, а также в других силовых установках постоянного и переменного тока, и устанавливает габаритные и присоединительные размеры и конструктивные исполнения модулей
  
• ГОСТ 28167-89.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования
  Название (англ): Semiconductor alternating voltage converters. General specifications
  Назначение:
  
• ГОСТ 28578-90.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания
  Название (англ): Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает методы испытаний, применяемые к полупроводниковым приборам (дискретным приборам и интегральным схемам)
  
• ГОСТ 28623-90.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы
  Название (англ): Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем
  
• ГОСТ 28624-90.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
  Название (англ): Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices
  Назначение: Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов
  
• ГОСТ 28625-90.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
  Название (англ): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes
  Назначение: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы
  
• ГОСТ 29209-91.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды
  Название (англ): Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2. Rectifire diodes
  Назначение: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на выпрямительные диоды, в том числе подлежащие сертификации. В стандарте приводятся требования для приборов следующих классов: выпрямительные диоды, включая: лавинные выпрямительные диоды, выпрямительные диоды с управляемым лавинным пробоем, выпрямительные диоды с быстрым переключением
  
• ГОСТ 29210-91.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения
  Название (англ): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes
  Назначение: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации
  

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →